PEMBAHASAN TENTANG TRANSISTOR
BAB I
TRANSISTOR
1.1
Pengertian transistor
Transistor adalah alat semikonduktor yang dipakai sebagai
penguat, sebagai sirkuit pemutus dan penyambung (switching), stabilisasi
tegangan, modulasi sinyal atau sebagai fungsi lainnya” . sedangkan apabila
ditinjau dari segi bahasa transistor berasal dari dua kata yang memiliki arti
berbeda yaitu “transfer” yang berarti penyaluran atau pemindahan dan “resistor”
yang berarti penghambat. Sedangkan transistor menurut dasarelektronika.com (2013)
adalah “∙∙∙suatu pemindahan atau peralihan bahan setengah penghantar menjadi
penghantar pada suhu atau keadaan tertentu”. Jadi bisa dikatakan transistor
adalah alat semi konduktor yang berguna untuk penguat, penyambung, stabilisasi
modulasi sinyal dan lain-lain pada suhu atau keadaan tertentu.
Gambar 1.1 Transistor
1.2. Jenis-jenis Transistor
Sama halnya dengan komponen elektronika yang lain, transistor
juga memiliki jenis yang berbeda-beda. Menurut Fathi (2011) “Jenis-Jenis
Transistor yang paling umum dibedakan menjadi dua jenis, yaitu Transistor
Bipolar dan Transistor Efek Medan”. Jenis transistor tersebut sangat
mempengaruhi rangkaian yang terdapat transistor tersebut, beberapa rangkaian
yang sangat dipengaruhi oleh jenis transistor yang digunakan atau dipasang
adalah rangkaian amplifier, rangkaian audio, rangkaian saklar , rangkaian
tegangan tinggi dan lain-lain.
1.
Transistor Bipolar (Transistor Dwikutub)
Transistor jenis ini banyak sekali digunakan pada peralatan-peralatan
elektronik di sekitar. Transistor ini memiliki 3 kaki yang berbeda-beda kaki
pertama diberi nama Basis atau biasanya dengan kode (B), kaki Emitor atau (E),
dan kaki Kolektor (K).
Gambar 1.2 Transistor
Transistor bipolar ini
terdiri dari dua jenis apabila di tinjau dari jenis susunan lapisan yang ada di
dalam transistor tersebut.
a. Transistor Jenis PNP
Transistor jenis ini terdiri dari dua lapis bahan semi konduktor
jenis P dan satu lapis bahan konduktor jenis N. Menurut Wikipedia Inonesia
(2013) “ Arus kecil yang meninggalkan basis pada moda tunggal emitor dikuatkan
pada keluaran kolektor”. Dengan kata lain transistor jenis PNP akan hidup atau
bekerja saat Basis lebih rendah dari pada Emitor. Lambang transistor ini
memiliki tanda panah yang menunjuk ke dalam pada kaki Emitor (E).
Gambar 1.3 Transistor
PNP
b. Transistor Jenis NPN
Transistor NPN terdiri dari dua lapis bahan semi konduktor jenis
N, dan satu lapis bahan semi konduktor jenis P. Transistor jenis ini banyak
digunakan karena pergerakan elektron pada bahan semi konduktor lebih tinggi
sehingga memungkinkan operasi arus besar dan kecepatan tinggi. Cara kerja
transistor ini berlawanan dengan transistor jenis PNP, atau dengan kata lain
transistor jenis NPN akan bekerja saat Basis lebih tinggi daripada Emitor.
Lambang transistor ini memiliki tanda panah yang menunjuk ke luar pada kaki
Emitor.
Gambar 1.4
Transistor NPN dan Kakinya
2. Transistor
Efek Medan (Transistor FET)
Transistor jenis ini bekerja dengan prinsip mengalirkan aliran
elektron dari tegangan. Menurut komponenelektronika.org (2012) “ FET beroperasi
dengan efek medan listrik pada aliran elektron melalui satu jenis bahan
semikonduktor”. Sama dengan transistor bipolar, transistor efek medan ini
memiliki 3 kaki yang diberi nama Drain (D), Source (S) dan Gate (G). Sistem
kerja dari transistor ini adalah dengan cara mengendalikan arus aliran elektron
dari terminal Source ke Drain melalui saluran dengan menggunakan tegangan yang
diberikan oleh terminal Gate. Saluran tersebut terbuat dari bahan semikonduktor
jenis N dan P.
Transistor FET ini memiliki 2 jenis yaitu Enhancement Mode dan
Depletion Mode. Kedua jenis transistor FET tersebut menandakan polaritas
tegangan pada Gate dibandingkan dengan Source saat transistor menghantarkan
listrik. Contoh pada depletion mode Gate negatif dibandingkan dengan Source,
sedangkan pada enhancement mode Gate positif. Apabila tegangan pada Gate di
rubah menjadi positif maka aliran arus kedua mode di antara Source dan Drain
akan meningkat.
Gambar 1.5 Transistor Efek Medan
(FET)
3. MOSFET
MOSFET adalah
singkatan dari Metal Oxida Semikonduktor FET, dansering juga disebut Insulated Gate FET. Hal ini disebabkan karena gate
padaMOSFET tidak langsung berhubungan dengan saluran, tetapi
diisolasi oleh suatulapisan oksida logam yang tipis (biasanya Silikon Oksida).Untuk mempelajari sifat-sifat dasar Mosfet, harus
mengenal macam-macam mosfet yang
dibedakan menjadi dua jenis. Dua macam MOSFET yangdikenal, yaitu:a.Depletion Enhanchement MOSFET (DE MOSFET).
b.
Enhachement MOSFET (E MOSFET).Kedua jenis Mosfet tersebut dibedakan berdasarkan cara pemberianlapisan Substratenya. Pada Depletion Mosfet
lapisan substrate dipasang dalamkanal tidak menyentuh oksida logam (Si
O2) sehingga ada sisa kanal yang sempit.Pada
jenis kedua Enhancement Mosfet. Lapisan substrate dipasang padakanal
langsung menembus lapisan oksida logam (Si O2) sehingga kanal tertutupsedang anatara Drain dan Source terpisah oleh
substrate. Bahan yang digunakansebagai kanal dan substrate sama-sama
semikonduktor tapi tipe berlawanan.DE MOSFET
adalah semacam MOSFET yang dapat beroperasi dengandepletion action (aksi
pengosongan) dan enhanchement action (aksi peningkatan)

Pada gambar 40(e) menunjukkan antara Substrate dan source
digabungkandan didapatkan sebagai Source (S). Ini biasa dilakukan oleh pabrik pembuatnya.Jadi
di pasaran banyak dijumpai Mosfet dengan 3 kaki. Tetapi biasa juga
Mosfetmempunyai 4 kaki. Untuk mosfet 4 kaki, biasa dipastikan mempunyai 2
gerbang(G1 dan G2), kaki-kaki yang lain adalah Drain (D) dan Source (S).
2. Macam - Macam MOSFET
3

3.IGBT
Transistor
bipolar terisolasi-gerbang (IGBT) Perangkat semikonduktor daya tiga terminal
yang digunakan sebagai Sakelar Elektronik, saat dikembangkan, untuk
menggabungkan efisiensi tinggi dan peralihan cepat.
Terdiri
dari empat lapisan bergantian (P-N-P-N) dikendalikan oleh Struktur Gerbang
Logam-Oksida-Semikonduktor (MOS) tanpa tindakan Regeneratif. Struktur IGBT
secara topologi sama dengan THYRISTOR (MOS Gate Thyristor), Thyristor ditekan
dan transistor yang diperbolehkan di rentang operasi.
Switch
Daya Listrik di Aplikasi:
➤ Drive Frekuensi Variabel (VFDs)
➤ Mobil Listrik
➤ Kereta Api
➤ Pendingin Kecepatan Variabel
➤ Ballast Lampu Neon
➤ Air Conditioning
➤ Sistem Stereo dengan Switching Amplifier.
➤ Drive Frekuensi Variabel (VFDs)
➤ Mobil Listrik
➤ Kereta Api
➤ Pendingin Kecepatan Variabel
➤ Ballast Lampu Neon
➤ Air Conditioning
➤ Sistem Stereo dengan Switching Amplifier.
Struktur
IGBT
IGBT,
Perangkat yang relatif baru dalam elektronika daya, sebelum munculnya IGBT,
Power MOSFET dan Power BJT umum digunakan dalam aplikasi elektronik daya. Kedua
perangkat memiliki beberapa Kelebihan dan Kerugian.
Struktur
IGBT sangat mirip dengan PMOSFET, kecuali satu lapisan yang dikenal sebagai
lapisan injeksi yang P+ tidak seperti N+ substrat di PMOSFET. Lapisan
Injeksi, Kunci untuk karakteristik unggul IGBT. Lapisan lain disebut Drift.
Memiliki
karakteristik switching yang sangat baik, impedansi input yang tinggi, PMOSFET
yang dikontrol tegangan, juga memiliki karakteristik konduksi yang buruk dan
Diode Parasit yang bermasalah pada peringkat yang lebih tinggi.
Sifat
PMOSFET Unipolar menyebabkan waktu switching rendah, juga Resistansi ON-State
yang tinggi saat rating voltase meningkat.
Diagram
Sirkuit IGBT
Konstruksi
Dasar dari transistor gerbang bipolar yang terisolasi, Rangkaian driver IGBT
sederhana dirancang menggunakan PNP dan NPN Transistor, JFET, MOSFET.
Transistor JFET digunakan untuk menghubungkan Kolektor Transistor NPN ke Basis
Transistor PNP. Transistor menunjukkan Thyristor Parasit untuk menciptakan Loop
Umpan Balik Negatif.
Resistor
RB menunjukkan terminal BE dari transistor NPN untuk mengkonfirmasi bahwa
Thyristor tidak terkunci, mengarah ke gerendel IGBT. Transistor menunjukkan
struktur arus di antara dua sel IGBT yang berdekatan. Memungkin kan
MOSFET dan mendukung sebagian besar tegangan. Simbol sirkuit IGBT, yang berisi
tiga terminal yaitu emitor, gerbang dan kolektor.
IGBT terutama digunakan dalam aplikasi elektronika daya, seperti inverter, konverter dan catu daya, adalah tuntutan perangkat switching solid state tidak sepenuhnya dipenuhi oleh bipolar kekuasaan dan daya MOSFET.
Karakteristik
IGBT
IGBT dapat
digunakan dalam rangkaian penguat sinyal kecil sama seperti transistor tipe BJT
atau MOSFET. IGBT menggabungkan kerugian konduksi rendah BJT dengan kecepatan
switching yang tinggi, kekuatan MOSFET Saklar Solid State Optimal yang ideal
digunakan dalam aplikasi elektronika daya.
IGBT memiliki Resistansi "On-State" yang lebih rendah, Berarti I2R yang jatuh di struktur output bipolar untuk arus switching yang diberikan jauh lebih rendah. Operasi pemblokiran maju transistor IGBT identik dengan kekuatan MOSFET.
IGBT memiliki Resistansi "On-State" yang lebih rendah, Berarti I2R yang jatuh di struktur output bipolar untuk arus switching yang diberikan jauh lebih rendah. Operasi pemblokiran maju transistor IGBT identik dengan kekuatan MOSFET.
IGBT
berubah "ON" atau "OFF" dengan mengaktifkan dan
menonaktifkan terminal Gate-nya. Menerapkan sinyal input tegangan positif
melintasi Gerbang dan Emitor menjaga perangkat dalam keadaan "AKTIF".
Membuat Sinyal Gerbang input Nol atau Negatif, akan menyebabkannya menjadi "NONAKTIF" dengan cara yang sama seperti BJT atau MOSFET. Keuntungan IGBT, memiliki hambatan saluran yang lebih rendah daripada MOSFET Standar.
Membuat Sinyal Gerbang input Nol atau Negatif, akan menyebabkannya menjadi "NONAKTIF" dengan cara yang sama seperti BJT atau MOSFET. Keuntungan IGBT, memiliki hambatan saluran yang lebih rendah daripada MOSFET Standar.
Karakteristik
Switching IGBT
Waktu Mengaktifkan t-on terdiri dari dua komponen
➤ Waktu Tunda (tdn)
Waktu di mana Arus Kolektor naik dari ICE arus bocor ke 0,1 IC (Arus kolektor akhir) dan tegangan emitor kolektor jatuh dari VCE ke 0,9 VCE.
➤ Waktu Naik (tr)
Waktu di mana arus kolektor naik dari 0,1 IC ke IC
dan tegangan emitor kolektor turun dari 0,9 VCE ke 0,1 VCE.
Waktu Mematikan toff terdiri dari tiga komponen
➤ Waktu Tunda (tdf)
Waktu ketika arus kolektor jatuh dari IC ke 0,9 IC dan VCE mulai naik.
➤ Waktu Jatuh Awal (tf1)
Waktu di mana arus kolektor jatuh dari 0,9 IC ke 0,2 IC
dan tegangan emitor kolektor naik menjadi 0,1 VCE.
➤ Waktu Jatuhnya Akhir (tf2)
Waktu di mana arus kolektor jatuh dari 0,2 IC ke 0,1 IC
dan 0,1VCE naik ke nilai akhir VCE.
Keuntungan
IGBT
Keuntungan
utama menggunakan Insulated Gate Bipolar Transistor
atas jenis perangkat Transistor lainnya
➤ Kemampuan Tegangan Tinggi
➤ ON-Resistance Rendah
➤ Kecepatan Switching yang relatif cepat dan dikombinasikan dengan
Zero Gate Drive, menjadikannya pilihan untuk kecepatan sedang
➤ Aplikasi Tegangan Tnggi seperti Modulasi Lebar-Pulsa (PWM)
➤ Kontrol Kecepatan Variabel
➤ Pasokan Daya Mode-sSakelar atau Inverter DC-AC bertenaga surya
➤ Aplikasi Konverter Frekuensi yang beroperasi rentang ratusan Kilohertz.
atas jenis perangkat Transistor lainnya
➤ Kemampuan Tegangan Tinggi
➤ ON-Resistance Rendah
➤ Kecepatan Switching yang relatif cepat dan dikombinasikan dengan
Zero Gate Drive, menjadikannya pilihan untuk kecepatan sedang
➤ Aplikasi Tegangan Tnggi seperti Modulasi Lebar-Pulsa (PWM)
➤ Kontrol Kecepatan Variabel
➤ Pasokan Daya Mode-sSakelar atau Inverter DC-AC bertenaga surya
➤ Aplikasi Konverter Frekuensi yang beroperasi rentang ratusan Kilohertz.
Kesederhanaan
yang didorong "ON" dengan menerapkan tegangan gerbang positif, atau
beralih "OFF" dengan sinyal gerbang nol atau sedikit negatif yang
memungkinkan untuk digunakan dalam berbagai aplikasi. Di wilayah Aktif Linier
untuk digunakan dalam Power Amplifier.
Ketahanan On-State yang rendah dan kerugian konduksi serta kemampuannya untuk beralih tegangan tinggi pada frekuensi tinggi tanpa kerusakan membuat Insulated Gate Bipolar Transistor ideal untuk menggerakkan beban induktif seperti Gulungan Kumparan, Elektromagnet dan Motor DC.
Ketahanan On-State yang rendah dan kerugian konduksi serta kemampuannya untuk beralih tegangan tinggi pada frekuensi tinggi tanpa kerusakan membuat Insulated Gate Bipolar Transistor ideal untuk menggerakkan beban induktif seperti Gulungan Kumparan, Elektromagnet dan Motor DC.
2.3 Fungsi
Transistor
Transistor memiliki beberapa fungsi di antaranya adalah :
Amplifier : Penguat
Mixer
: Mencampur Frekuensi
Rectifier :
Penyearah
Switcher :
Penghubung (saklar)
Oscilater :
Pembangkit getaran
Contoh Rangkaian
Elektronik Menggunakan Transistor
Gambar 1.6 transistor Sebagai
Gerbang NOT
Gambar 1.7 Transistor Sebagai Gerbang
AND
Gambar 1.8
Transistor Sebagai Gerbang OR
Gambar
1.9 Transistor Sebagai Oscilator
2.3 Menentukan
Kaki dan Jenis Transistor
Untuk menentukan jenis transistor dan ketiga kakinya maka dapat
menggunakan dua cara, yang pertama dengan melihat pada datasheetnya.
Sedangkan yang kedua dengan melakukan pengukuran/ tes kondisi menggunakan
AVOmeter/ multitester. Pada kesempatan kali ini kami akan menjelaskan cara
kedua yaitu dengan melakukan tes kondisi menggunakan multitester, yaitu:
1. Menentukan Kaki Basis,
Sekaligus Menentukan Jenis Transistor.
Untuk menentukan kaki basis kita harus tau karakter kaki basis
ini, yaitu yang dimiliki pada jenis PNP. Pada tahap ini kita harus memisalkan
kaki-kaki transistor tersebut dengan nama lain, sebagai contoh kaki 1, kaki
2, dan kaki 3. Kemudian atur multitester ke Ohm meter x10 atau
x10 0 kemudian kita cari kaki basis dengan:
Hubungkan probe merah ke salah satu kaki, misal
kaki 1 kemudian probe hitam dihubungkan ke kedua kaki yang lain, apabila multitester
memberikan nilai ukur resistansi yang rendah (jarum bergerak lebar) pada
keduanya maka kaki 1 adalah kaki basis untuk transistor PN P. Dan N PN apabila
probe pada posisi kaki 1 adalah probe hitam dengan hasil ukur
seperti sebelumnya. Jika hanya pada satu kaki 2 atau 3 saja yang bergerak
kemungkinan basis-nya 2 atau 3. Ulangi lagi, carilah konfigurasi sampai
diketemukan jarum multitester bergerak semua. Pastikan basis sudah ketemu dan
jenis transistor NPN atau PNP:
Gambar 2.0 Menentukan
Basis dan Jenis Transistor
NPN :
Kaki basis probe hitam, kaki emitor dan kolektor probe merah maka jarum
bergerak. kemudian bila dibalik kaki basis probe merah, kaki emitor dan
kolektor probe hitam jarum tidak bergerak.
PNP: Kaki
basis probe merah, kaki emitor dan kolektor probe hitam maka jarum bergerak.
kemudian bila dibalik kaki basis probe hitam, kaki emitor dan kolektor probe
merah jarum tidak bergerak.
2. Menentukan Kaki Kolektor
dan Emitor.
Kaki basis sudah ditentukan kemudian kita dapat menetukan kaki
kolektor dan emitor dengan konsep transistor sebagai saklar. Untuk menetukan
kaki kolektor dan emitor setting multmeter di pindah ke Ohm meter x10 KOhm ,
Kemudian lakukan teknik berikut.
Misalnya
transistor N PN . Hubungkan probe hitam pada salah satu kaki selain basis
dengan cara menempelkan probe bersama jari tangan kita (probe dan kaki
transistor dipegang jadi satu).
Hubungkan
probe merah pada kaki yang lain (juga selain basis) dan jangan
disentuh dengan jari
tangan.
Sentuh
kaki basis dengan jari tangan (dengan tujuan memberikan bias pada kaki tersebut
mengingat tubuh kita juga memiliki energi listrik potensial). Jika jarum
multitester tidak bergerak, balik posisinya ke kaki yang lain. Sentuh kembali
kaki basis dengan jari tangan. Jika jarum meter bergerak cukup lebar maka bisa
dipastikan kaki yang dipegang bersama probe hitam adalah kolektor, kaki yang
lain (probe merah) adalah emitor.
Untuk
transistor PNP caranya sama cuma posisi probe merah dan probe
hitam dibalik.
Gambar
2.1 Menentukan Kolektor dan Emitor
Untuk kaki emitor pada kemasan tertentu biasanya ditandai sirip
pada kemasan transistor. Kemudian tanda untuk kaki kolektor adalah huruf c,
tanda titik bulat, titik kotak atau titik segitiga yang berada di kemasan
transistor.
BAB II
THYRISTOR
2.1 Pengertian Thyristor
Kata thyristor diambil dari bahasa
yunani yang berarti pintu. Thyristor adalah komponen
aktif elektronika yang digunakan seperti halnya pintu yaitu untuk menahan arus
AC . Penggunaan thyristor pada rangkaian elektronik pada umumnya digunakan
sebagai saklar. Thyristor merupakan komponen semikonduktor yang
dibuat dari jenis silikon. Jenis thyristor yang sering dipakai
ada tiga, yaitu: SCR, DIAC, dan TRIAC.

Gambar 2.1 Simbol thyristor

Gambar 2.2 bentuk fisik thyristor
2.2 Aplikasi
thyristor secara umum
Pengaplikasian thyristor secara umum sebagai berikut:
· Mengontrol
kecepatan dan frekuensi
· Penyearahan
· Pengubahan daya
· Manipulasi
robot
· Kontrol
temperatur
· Kontrol cahaya
2.3 Karakteristik thyristor
Karakteristik thyristor dapat dilihat
pada Gambar 2.3 diperlihatkan bahwa thyristor mempunyai 3 keadaan atau daerah,
yaitu :
·
Keadaan pada
saat tegangan balik (daerah I)
·
Keadaan pada
saat tegangan maju (daerah II)
·
Keadaan pada
saat thyristor konduksi (daerah III)

Gambar
2.3 Karakterisitik Thyristor
Pada daerah I, thyristor sama seperti diode, dimana pada
keadaan ini tidak ada arus yang mengalir sampai dicapainya batas tegangan
tembus (Vr). Pada daerah II terlihat bahwa arus tetap tidak akan mengalir
sampai dicapainya batas tegangan penyalaan (Vbo). Apabila tegangan mencapai
tegangan penyalaan, maka tiba – tiba tegangan akan jatuh menjadi kecil dan ada
arus mengalir. Pada saat ini thyristor mulai konduksi dan ini adalah merupakan
daerah III. Arus yang terjadi pada saat thyristor konduksi, dapat disebut
sebagai arus genggam (IH = Holding Current). Arus IH ini cukup
kecil yaitu dalam miliampere. Untuk membuat thyristor kembali off,
dapat dilakukan dengan menurunkan arus thyristor tersebut dibawah arus
genggamnya (IH) dan selanjutnya diberikan tegangan penyalaan.
2.4 Jenis-jenis
thyristor
·
SCR (Silicon Control Rectifier)
SCR (Silicon Control Rectifier) adalah Dioda yang mempunyai fungsi sebagai
pengendali. SCR dibangun atas 4 lapisan semikonduktor, yaitu lapisan P-N-P-N
(Positif Negatif Positif Negatif) dan biasanya disebut PNPN Trioda. Lapisan-lapisan itu tersusun sedemikian rupa, sehingga pintu “gate”
disambungkan pada salah satu lapisan semikonduktor P, yaitu lapisan P bagian
dalam.
SCR masih termasuk keluarga semikonduktor dengan karateristik yang serupa dengan tabung thiratron. SCR yang hanya dapat dilewati arus listrik dari satu arah. SCR memiliki
tiga terminal, yaitu anoda (A), katoda(K), dan gate(G). Sebagai pengendalinya
adalah gate (G). SCR sering disebut Thyristor.
Fungsi SCR yaitu:
a.
Sebagai rangkaian saklar (switch control)
b.
Sebagai rangkaian pengendali (remote control)
SCR banyak digunakan dalam rangkaian elektronika daya. SCR dapat digunakan
dengan sumber masukan dalam bentuk arus bolak-balik (AC) maupun arus searah
(DC). SCR dalam rangkaian elektronika daya dioperasikan sebagai saklar.
Struktur SCR terbentuk dari dua buah junction PNP dan NPN. Untuk memudahkan analisa, SCR dapat digambarkan
sebagai dua transistor yang NPN dan PNP yang dirangkai sebgai berikut.

Gambar 2.4 struktur SCR
Cara kerja dari SCR yaitu: saat tidak dialiri arus listrik, SCR akan berada
di keadaan OFF. Saat terminal gate-nya dialiri arus rendah, SCR akan
menjadi ON dan menghantarkan arus listrik dari anoda (A) ke katoda (K) da ke
katoda. Meskipun arus listrik gate-nya dihilangkan, SCR akan tetap dalam
keadaan ON hingga arus yang mengalir dari anoda (A) ke katoda (K) tersebut juga
dihilangkan atau 0 V.
·
TRIAC (triode alternating current)
TRIAC adalah perangkat semikonduktor berterminal tiga yang berfungsi
sebagai pengendali arus listrik. TRIAC tergolong sebagai thyristor yang
berfungsi sebagai pengendali atau Switching. TRIAC memiliki kemampuan
yang dapat mengalirkan arus listrik ke kedua arah (bidirectional) ketika
dipicu. Terminal Gate TRIAC hanya memerlukan arus yang relatif rendah untuk
dapat mengendalikan aliran arus listrik AC yang tinggi dari dua arah
terminalnya. TRIAC sering juga disebut dengan Bidirectional
Triode Thyristor.Pada dasarnya, sebuah TRIAC sama dengan
dua buah SCR yang disusun dan disambungkan secara antiparalel (paralel yang
berlawanan arah) dengan Terminal Gerbang atau Gate-nya dihubungkan
bersama menjadi satu. Jika dilihat dari strukturnya, TRIAC merupakan komponen elektronika
yang terdiri dari 4 lapis semikonduktor dan 3 Terminal, Ketiga Terminal
tersebut diantaranya adalah MT1 (Main Terminal 1), MT2 (Main Terminal 2) dan Gate.

Gambar 2.4 TRIAC
TRIAC merupakan
komponen yang sangat cocok untuk digunakan sebagai AC Switching (Saklar
AC) karena dapat megendalikan aliran arus listrik pada dua arah siklus
gelombang bolak-balik AC. Kemampuan inilah yang menjadi kelebihan dari
TRIAC jika dibandingkan dengan SCR. Namun TRIAC pada umumnya tidak digunakan
pada rangkaian switching yang melibatkan daya yang sangat tinggi karena
karakteristik switching TRIAC yang non-simetris dan juga gangguan
elektromagnetik yang diciptakan oleh listrik yang berdaya tinggi itu sendiri.
Beberapa
aplikasi TRIAC pada peralatan-peralatan Elektronika maupun listrik antara lain:
a.
Pengatur pada
Lampu Dimmer.
b.
Pengatur
Kecepatan pada Kipas Angin.
c.
Pengatur Motor
kecil.
d.
Pengatur pada
peralatan-peralatan rumah tangga yang berarus listrik AC.
·
DIAC (diode alternating current)
DIAC adalah komponen aktif Elektronika yang memiliki dua terminal dan dapat
menghantarkan arus listrik dari kedua arah jika tegangan melampui batas break
over-nya atau biasan disebut “Bidirectional Thyristor”. DIAC biasanya digunakan sebagai pembantu untuk memicu TRIAC dalam
rangkaian AC Switch, DIAC juga sering digunakan dalam berbagai rangkaian
seperti rangkaian lampu dimmer (peredup) dan rangkaian starter
untuk lampu neon (florescent lamps).
Ditinjau dari segi strukturnya, DIAC
terdiri dari 3 lapis semikonduktor yang hampir mirip dengan sebuah Transistor
PNP. Berbeda dengan Transistor PNP yang lapisan N-nya dibuat dengan tipis agar
elektron mudah melewati lapisan N ini, Lapisan N pada DIAC dibuat cukup tebal
agar elektron lebih sulit untuk menembusnya terkecuali tegangan yang diberikan
ke DIAC tersebut melebihi batas breakover (VBO)
yang ditentukannya. Dengan memberikan tegangan yang melebihi batas breakover-nya,
DIAC akan dapat dengan mudah menghantarkan arus listrik dari arah yang
bersangkutan. Kedua Terminal DIAC biasanya dilambangkan dengan A1 (Anoda 1) dan
A2 (Anoda 2) atau MT1 (Main Terminal 1) dan MT2 (Main Terminal 2).

Gambar 2.5 Struktur dasar DIAC serta simbolnya
Cara Kerja DIAC: Pada prinsipnya, DIAC
memiliki cara kerja yang mirip dengan dua Dioda yang dipasang paralel
berlawanan seperti gambar Rangkaian Ekuivalen diatas. Apabila tegangan yang
memiliki polaritas diberikan ke DIAC, dioda yang disebelah kiri akan menghantarkan
arus listrik jika tegangan positif yang diberikan melebihi tegangan breakover
DIAC. Sebaliknya, apabila DIAC diberikan tegangan positif yang melebih tegangan
breakover DIAC dari arah yang berlawanan, maka dioda sebelah kanan akan
menghantarkan arus listrik. Setelah DIAC dijadikan ke kondisi “ON” dengan
menggunakan tegangan positif ataupun negatif, DIAC akan terus menghantarkan
arus listrik sampai tegangannya dikurangi hingga 0 (Nol) atau hubungan
pemberian listrik diputuskan.
·
SCS (silicon
controlled switch)
SCS (Silicon
Controlled Switch) adalah komponen elektronika yang berfungsi
sebagai pengendali atau sakelar (switch). SCS (Silicon Controlled
Switch) memiliki 4
kaki terminal dan dirancang untuk dapat memutuskan arus listrik apabila kaki
tambahannya yaitu kaki terminal Gerbang Anoda (Anode Gate) diberikan
tegangan positif. Keempat kaki terminal tersebut adalah Katoda, Anoda, Gerbang
dan Gerbang Anoda. Namun ada juga rangkaian ataupun produsen yang
menyebutkannya berbeda, dimana Katoda (Cathode) akan disebut sebagai
Emitor (Emitter), Gerbang (Gate) akan disebut sebagai Basis (Base)
dan gerbang anoda (Anode Gate) akan disebut sebagai kolektor. Komponen
SCS ini juga dapat dipicu untuk menghantarkan arus listrik apabila kaki Gerbang
Anodanya ini diberikan tegangan negatif. Cara kerjanya SCS hampir sama dengan
SCR yaitu dapat mengaktifkannya dengan memberikan tegangan positif pada kaki
terminal Gate (Gerbang). Komponen SCS ini pada umumnya
digunakan pada rangkaian-rangkaian Elektronika seperti rangkaian pengendali
lampu, rangkaian logika, rangkaian pengendali daya, rangkaian counter,
rangkaian-rangkaian lainnya yang memerlukan fungsi menghantarkan arus listrik (ON)
dan memutuskan arus listrik (OFF) dengan dua pengendali Input yang berbeda.

Gambar
2.6 struktur dasar SCS dan rangkaian Ekuivalen SCS yang menggunakan dua
transistor bipolar.
Saat tegangan
positif diberikan ke terminal Gate (Gerbang), transistor NPN
akan berubah menjadi ON sehingga arus listrik akan mengalir ke basis transistor
PNP dan mengakibatkan transistor NPN berubah menjadi ON juga. Dengan demikian,
kedua transistor berada dalam kondisi ON sehingga dapat menghantarkan arus
listrik dari Anoda ke Katoda (SCS berada dalam kondisi ON).
SCS akan
terus menghantarkan arus listrik (ON) hingga arus listrik mengalir dari Anoda
ke Katoda tersebut diputuskan atau membalikan polaritas anoda dan katoda
ataupun memberikan tegangan positif ke terminal Anode Gate (Gerbang
Anoda) yang kemudian menyebabkan SCS berubah menjadi OFF.
Selain
menggunakan terminal Gate (Gerbang), juga dapat menggunakan
Terminal Gerbang Anoda (Anode Gate) untuk memicu SCS menjadi ON yaitu
dengan memberikan tegangan negatif pada gerbang anoda tersebut. Pada saat
terminal Gerbang Anoda diberikan tegangan negatif, transistor PNP akan menjadi
ON dan memberikan arus listrik ke transistor NPN sehingga transistor NPN ini
juga berubah menjadi ON. Dengan demikian, perangkat SCS ini berada di kondisi
ON dan dapat mengalirkan arus listrik dari Anoda ke Katoda. Untuk menonaktifkan
SCS, kita perlu memutuskan arus listrik yang mengalir dari Anoda ke Katoda atau
membalikan polaritas pada Anoda dan Katoda ataupun memberikan tegangan positif
ke terminal gerbang anoda.
· Fast switching
thyristor
Fast switching thyristor adalah thyristor yang memiliki waktu
turn off yang cepat, umunya dalam daerah 5 sampai 50 µs bergantung pada
daerah tegangannya. Tegangan jatuh forward pada keadaan on berfariasi
kira-kira seperti fungsi invers dari turn off time tq.
Biasanya Thyristor ini digunakan pada penerapan teknologi pensaklaran kecepatan
tinggi dengan forced commutation.
Thyristor ini
memiliki dv/dt yang tinggi, biasanya 1000V/µs dan di/dt sebesar 1000 A/ µs. Turn
off yang cepat dan di/dt yang tinggi akan sangat penting untuk mengurangi
ukuran dan berat dari komponen rangkaian reaktif dan/atau commutating.
Tegangan keadaan on dari thyristor 2200 A, 1800 V, dan waktu turn off sangat
cepat, sekitar 3 sampai 5 µs, biasa dikenal sebagai asymmetrical thyristor
(ASCRT).
·
SITH (Static
Induction Thyristor)
SITH biasanya dihidupkan dengan memberikan tegangan
gerbang positif seperti thyristor biasa dan dimatikan dengan memberikan tegangan
negatif pada gerbangnya. SITH merupakan devais dengan pembawa muatan minoritas.
Akibatnya, SITH memiliki resistansi/tegangan jatuh keadaan on yang rendah dan
dapat dibuat dengan rating tegangan dan arus yang lebih tinggi.
SITH memiliki kecepatan switching yang tinggi dengan
kemampuan dv/dt dan di/dt yang tinggi. Waktu switchingnya berada pada orde 1
sampai dengan 6 µs. Rating tegangan dapat mencapai 2500 V dan rating arus
dibatasi 500 A. Devais ini sangat sensitive terhadap proses produksi, gangguan
kecil pada proses produsi akan menghasilkan perubahan yang besar pada
karakteristik devais.
·
LASCR
(Light-Activated Silikon Controlled Rectifier)
Devais ini dihidupkan dengan memberikan radiasi cahaya
langsung ke wafer silicon. Pasangan electron-hole yang terbentuk selama proses
radiasi akan menghasilkan arus trigger pada pengaruh medan elektris.
Struktur gerbang dirancang untuk menghasilkan sensitivitas gerbang yang cukup
untuk triggering dengan sumber cahaya praktis.
LASCR digunakan untuk pemakaian arus dan tegangan yang
tinggi. LASCR menyediakan isolasi elektris penuh antara sumber cahaya
pen-trigger dan devais switching dari converter daya, dengan potensial
mengambang tinggi hingga beberapa kilo volt. Rating tegangan dari LASCR dapat
setinggi 4 kV, 1500 A dengan daya cahaya pen-trigger kurang dari 100 mW.
Di/dt yang umum adalah 250 A/µs dan dv/dt dapat setinggi 2000 V/µs.
BAB III
PENUTUP
3.1 Kesimpulan
·
Transistor adalah alat
semi konduktor yang berguna untuk penguat, penyambung, stabilisasi modulasi
sinyal dan lain-lain pada suhu atau keadaan tertentu. Transistor terdiri dari
dua dioda yang terbuat dari germanium, silikon, dan garnium arsenide yang dibungkus
dengan plastik, metal atau surface Mount. Transistor memiki 2 jenis yaitu
transistor bipolar (transistor dwikutub), dan transistor efek medan (FET).
Transistor bipolar dibagi menjadi 2 berdasarkan susunan bahan semikonduktor
yaitu transistor PNP (2 lapis bahan semikonduktor P dan 1 lapis bahan semi
konduktor N) dan transistor NPN (2 lapis bahan semikonduktor N dan 1 lapis
bahan semikonduktor P). Sedangkan pada transistor efek medan (FET) juga dibagi
menjadi dua yaitu enhancemen mode dan depletion mode, hal tersebut berdasarkan
polaritas pada saluran-saluran yang ada pada transistor. Transistor memiliki
beberapa fungsi di antaranya adalah amplifier (penguat), mixer (mencampur
frekuensi), rectifier (penyearah), switcher (penghubung/saklar), oscilater (pembangkit
getaran).
·
Thyristor adalah komponen elektronika
yang biasa digunakan untuk pensaklaran dan pengendalian daya AC.
·
Thyristor dapat berubah dengan sangat
cepat dari kondisi menghantar ke kondisi tidak menghantar.
·
TRIAC adalah perangkat
semikonduktor berterminal tiga yang berfungsi sebagai pengendali arus
listrik. TRIAC tergolong sebagai thyristor yang berfungsi sebagai
pengendali atau Switching.
·
DIAC adalah komponen
aktif Elektronika yang memiliki dua terminal dan dapat menghantarkan arus
listrik dari kedua arah jika tegangan melampui batas break over-nya atau
biasan disebut “Bidirectional Thyristor”.
Komentar
Posting Komentar